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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
47
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3044
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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