RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
47
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2641
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link