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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3488
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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