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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2795
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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