RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2968
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link