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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2396
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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