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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2451
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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