Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 30
    En -36% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.7 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.7 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 17.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 13.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 3066
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones