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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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