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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
21.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
4042
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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