RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2664
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link