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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2288
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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