RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2352
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link