RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3562
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link