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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3732
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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