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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
36
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2466
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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