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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2504
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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