RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3322
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link