Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 37
    En 41% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.7 left arrow 14.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
    En 1.25% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    22 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.7 left arrow 14.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3075 left arrow 2438
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones