RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2815
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link