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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2829
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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