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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2873
3075
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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