RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1718
3683
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link