RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2966
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link