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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3541
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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