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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
65
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
65
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
1820
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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