RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
60
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
60
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2359
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kllisre 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link