RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
2902
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link