RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
1771
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link