RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3131
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link