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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
43
En -169% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
16
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3906
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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