RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3890
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link