RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Compara
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
81
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
81
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
1634
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link