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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
42
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
19
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3192
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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