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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3519
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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