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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3528
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
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