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SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Compara
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2150
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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