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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2650
2615
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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