RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
2690
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link