RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2688
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link