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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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