RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2824
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link