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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3343
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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