RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3257
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link