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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2605
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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