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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
2414
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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