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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
68
En -119% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
3649
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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