RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2981
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link