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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2297
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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