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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
68
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2660
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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